В диапазоне 300–850 К изучены температурные зависимости проводимости, энтальпии и времени спин-решеточной релаксации для Li5TiN3 и Li5SiN3. Проведены оценочные расчеты энергии миграции и энергии образования дефектов в литиевой подрешетке. Также измерена электропроводность для оксонитридов Li9TiN3O2, Li9SiN3O2 и рассчитана энергия активации проводимости.